Calcul ab initio d'Alignements de bandes

Autorentext

Après une formation d'ingénieur à l'INSA de Rennes et au au Rochester Institute of Technologie, Pierre-Yves Prodhomme a réalisé une thèse au CEA/Léti sur la simulation ab initio des alignements de bandes dans les heterostructures. En 2010 il a rejoint le groupe de simulation des nanostructures à l'institut Max Planck de Stuttgart.

Klappentext

L échec des modèles pour prévoir l alignement de bandes dans un empilement MOS (métal-oxyde-semiconducteur) rend utile et intéressant une étude à l échelle atomique. Dans un premier temps ce livre expose les deux théories ab initio utilisées pour calculer les alignements de bandes. D abord la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), puis la théorie de l approximation GW qui corrige les niveaux d énergies électroniques évalués en DFT. Une modélisation incluant ces deux théories permet alors de calculer les alignements de bandes. Ce modèle est appliqué à différentes hétérostructures composant l empilement MOS. Puis nous étudions la façon dont intervient le dipôle dans l alignement de bandes. Enfin on montre que les alignements de bandes estimés à travers notre modèle reposant sur des simulations ab initio tendent vers un accord avec les mesures expérimentales.