Dopage de type p du ZnO

L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l'incorporation de l'azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN.

Autorentext

Doctorant avec le groupe de la matière condensée (GEMaC) au CNRS à Meudon (Paris)

Klappentext

L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman : l incorporation de l azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN.