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Elaboration des alliages GaAsBi sur substrat GaAs par EPVOM
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8FQP0BMS8JG
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Docteur en physique, est enseignant de physique en classes préparatoires à l'Institut Préparatoire aux Etudes d'Ingénieurs de Monastir. Il est aussi membre de l'Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications (URHEA) à la Faculté des Sciences de Monastir - Tunisie.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- Sprache Französisch
- Autor Hédi Fitouri
- Titel Elaboration des alliages GaAsBi sur substrat GaAs par EPVOM
- Veröffentlichung 07.11.2011
- ISBN 3841780407
- Format Kartonierter Einband
- EAN 9783841780409
- Jahr 2011
- Größe H220mm x B150mm x T10mm
- Untertitel Etude des proprits physiques de GaAsBi
- Gewicht 238g
- Auflage Aufl.
- Anzahl Seiten 148
- Herausgeber Éditions universitaires européennes
- GTIN 09783841780409
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