Hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit

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Sébastien Founta, docteur en Physique, diplômé de l''Institut National Polytechnique de Grenoble (spécialité Nanosciences) et de l''Université Joseph Fourier de Grenoble (spécialité Physique).

Weitere Informationen

  • Allgemeine Informationen
    • Sprache Französisch
    • Titel Hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit
    • Veröffentlichung 15.06.2011
    • ISBN 6131577277
    • Format Kartonierter Einband
    • EAN 9786131577277
    • Jahr 2011
    • Größe H220mm x B150mm x T12mm
    • Autor Sébastien Founta
    • Untertitel Croissance et proprits optiques
    • Gewicht 310g
    • Anzahl Seiten 196
    • Herausgeber Éditions universitaires européennes
    • GTIN 09786131577277

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