Kornstrukturen und Auswirkungen von Spannungen auf Korngrenzen

Bei der Entwicklung von mikroelektronischen Geräten mit höherer Dichte wirken sich die Spannungen aus, die durch unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten (WAK) der verwendeten Materialien verursacht werden. Hier erörtere ich den Einsatz der 3D-Kornkontinuumsmodellierung zur Untersuchung der durch Unterschiede in der Dehnungsenergiedichte verursachten Korngrenzenmigration. Comsol Multiphysics 4.3a (CM) wird zur Berechnung von Spannungen und Dehnungsenergiedichten in polykristallinen Strukturen verwendet, die durch Temperaturänderungen verursacht werden. Wir behandeln jedes Korn als Einkristall, wobei die anisotropen elastischen Eigenschaften von einkristallinem Cu entsprechend gedreht werden, um der Kornorientierung im Raum zu entsprechen.

Autorentext

Manvinder Sharma está actualmente a trabalhar como professor assistente no Departamento de Electrónica e Comunicação na Faculdade de Engenharia da CGC, Mohali. Fez M.Tech em VLSI e B.Tech em ECE.