Macromodélisation du Transistor MOSFET

Cet ouvrage trait de la macromodélisation du transistor MOS et de l'évaluation des performances d'un composant de puissance VDMOSFET. Plus précisément, en présente tout d'abord l'évolution des structures MOS de puissance basse tension depuis les années 70, jusqu'au transistor VDMOSFET, dont les principale propriétés sont énumérées. On réalise ensuite une étude des mécanismes - analyse statique à l'état passante et à l'état bloquée, analyse dynamique - intervenant dans les diverses zones du composant. Sur la base de cette étude, on établit un modèle de ce transistor pour le logiciel de simulation PSPICE. La seconde partie de cet ouvrage, qui repose principalement sur une démarche expérimentale, permet d'identifier les paramètres du modèle de VDMOSFET puis de valider la modélisation complète du convertisseur BUCK vis-à-vis de mesures. Nous en concluons que la modélisation proposée atteint une précision satisfaisante pour pouvoir être exploitée dans une démarche de conception, ce qui fait l'objet de la dernière partie de cet ouvrage. La simulation est alors utilisée pour étudier l'influence de la température sur le comportement du transistor.

Autorentext

Né le 17 juin 1985 à Batna, Algérie, Messaadi lotfi est titulaire d'un diplôme d'ingénieur d'état, magistère et futur docteur en électronique option micro-électronique, j'ai travaillé dans la recherche, l'optimisation et développement, dans le secteur de la micro-électronique, principalement l'électronique de puissance.

Klappentext

Cet ouvrage trait de la macromodélisation du transistor MOS et de l'évaluation des performances d'un composant de puissance VDMOSFET. Plus précisément, en présente tout d'abord l'évolution des structures MOS de puissance basse tension depuis les années 70, jusqu'au transistor VDMOSFET, dont les principale propriétés sont énumérées. On réalise ensuite une étude des mécanismes - analyse statique à l'état passante et à l'état bloquée, analyse dynamique - intervenant dans les diverses zones du composant. Sur la base de cette étude, on établit un modèle de ce transistor pour le logiciel de simulation PSPICE. La seconde partie de cet ouvrage, qui repose principalement sur une démarche expérimentale, permet d'identifier les paramètres du modèle de VDMOSFET puis de valider la modélisation complète du convertisseur BUCK vis-à-vis de mesures. Nous en concluons que la modélisation proposée atteint une précision satisfaisante pour pouvoir être exploitée dans une démarche de conception, ce qui fait l'objet de la dernière partie de cet ouvrage. La simulation est alors utilisée pour étudier l'influence de la température sur le comportement du transistor.