Optische Emissionen von Sputterprodukten der Metalle Ni, Cr, Ti

Die vorliegende Arbeit wird im Team SIAM (Spectroscopy & Atomic Imaging of Materials) der Universität Cadi Ayyad durchgeführt. Sie besteht darin, die Lumineszenz von Proben aus Ni, Cr, Ti und den Oxiden NiO und Cr2O3 mithilfe der SIPS-Technik zu untersuchen. Die Targets werden mit 5 keV Kr+-Ionen in einem Winkel von 65° zur Normalen beschossen und der untersuchte Spektralbereich erstreckt sich vom nahen UV bis zum sichtbaren Licht. Die von uns durchgeführten Studien können wie folgt zusammengefasst werden: Nachweis der optischen Emissionen der Sputterprodukte der drei Metalle Nickel, Chrom und Titan sowie ihrer Oxide, die im Vakuum (besser als 10-7 Torr) beschossen wurden. Interpretation der Wirkung von Sauerstoff auf die Lumineszenzspektren. * Prüfung und Anwendung des Elektronenaustauschmodells. Schätzung der Elektronenaffinität und der Bandlücke (Gap) von Oxiden.

Autorentext

2012 - 2016: Doutoramento em Física, especialização em Ciência dos Materiais e Nanomateriais, Faculdade de Ciências.2009 - 2011: Mestrado em Física, especialização em Engenharia de Materiais, Energia e Ambiente.2005 - 2008: Licenciatura em Física.2004 - 2005: Bacharelato, opção Ciências Experimentais.

Klappentext

Die vorliegende Arbeit wird im Team SIAM (Spectroscopy & Atomic Imaging of Materials) der Universität Cadi Ayyad durchgeführt. Sie besteht darin, die Lumineszenz von Proben aus Ni, Cr, Ti und den Oxiden NiO und Cr2O3 mithilfe der SIPS-Technik zu untersuchen. Die Targets werden mit 5 keV Kr+-Ionen in einem Winkel von 65° zur Normalen beschossen und der untersuchte Spektralbereich erstreckt sich vom nahen UV bis zum sichtbaren Licht. Die von uns durchgeführten Studien können wie folgt zusammengefasst werden: Nachweis der optischen Emissionen der Sputterprodukte der drei Metalle Nickel, Chrom und Titan sowie ihrer Oxide, die im Vakuum (besser als 10-7 Torr) beschossen wurden. Interpretation der Wirkung von Sauerstoff auf die Lumineszenzspektren. * Prüfung und Anwendung des Elektronenaustauschmodells. Schätzung der Elektronenaffinität und der Bandlücke (Gap) von Oxiden.