Procédés microélectroniques pour la fabrication de VLSI

L'ouvrage "Micro-electronic Processes for VLSI Fabrication" est un guide complet qui fait autorité et qui traite des principes fondamentaux et des techniques avancées utilisés dans la fabrication de circuits intégrés à très grande échelle (VLSI). Couvrant un large éventail de sujets, le livre commence par une introduction approfondie à la technologie des semi-conducteurs en silicium, y compris une vue d'ensemble des matériaux semi-conducteurs, de la structure cristalline du silicium, des semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques, et des subtilités du dopage et de la concentration des porteurs. Les chapitres suivants se penchent sur les aspects cruciaux de la fabrication VLSI, explorant les techniques de traitement des plaquettes, telles que la croissance, la préparation, l'inspection des défauts et diverses méthodes de nettoyage des plaquettes. Le processus critique d'oxydation est couvert en détail, expliquant les techniques d'oxydation thermique, sèche et humide, ainsi que les modèles de croissance des oxydes.Le livre examine en détail les méthodes de dépôt épitaxial, y compris le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), l'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) et l'épitaxie sélective. L'implantation et la diffusion d'ions, processus essentiels pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, sont également abordés de manière méticuleuse, avec des aperçus sur les processus d'implantation d'ions.

Autorentext

Debasis Mukherjee est professeur associé au département d'ingénierie électronique et de communication de la Brainware University. Il a guidé avec succès deux chercheurs jusqu'au doctorat.

Klappentext

L'ouvrage "Micro-electronic Processes for VLSI Fabrication" est un guide complet qui fait autorité et qui traite des principes fondamentaux et des techniques avancées utilisés dans la fabrication de circuits intégrés à très grande échelle (VLSI). Couvrant un large éventail de sujets, le livre commence par une introduction approfondie à la technologie des semi-conducteurs en silicium, y compris une vue d'ensemble des matériaux semi-conducteurs, de la structure cristalline du silicium, des semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques, et des subtilités du dopage et de la concentration des porteurs. Les chapitres suivants se penchent sur les aspects cruciaux de la fabrication VLSI, explorant les techniques de traitement des plaquettes, telles que la croissance, la préparation, l'inspection des défauts et diverses méthodes de nettoyage des plaquettes. Le processus critique d'oxydation est couvert en détail, expliquant les techniques d'oxydation thermique, sèche et humide, ainsi que les modèles de croissance des oxydes.Le livre examine en détail les méthodes de dépôt épitaxial, y compris le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), l'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) et l'épitaxie sélective. L'implantation et la diffusion d'ions, processus essentiels pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, sont également abordés de manière méticuleuse, avec des aperçus sur les processus d'implantation d'ions.