Tunneling Field Effect Transistor Technology

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Details

This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

comprehensive reference to tunneling field effect transistors (TFETs) all aspects of TFETs, from device process to modeling and applications Enables design of power-efficient integrated circuits, with low power consumption TFETs

Inhalt
Steep Slope Devices and TFETs.- Tunnel-FET Fabrication and Characterization.- Compact Models of TFETs.- Challenges and Designs of TFET for Digital Applications.- Atomistic Simulations of Tunneling FETs.- Quantum Transport Simulation of III-V TFETs with Reduced-Order k ·*p*** Method.- Carbon Nanotube TFETs: Structure Optimization with Numerical Simulation.

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Weitere Informationen

  • Allgemeine Informationen
    • GTIN 09783319810874
    • Genre Elektrotechnik
    • Auflage Softcover reprint of the original 1st edition 2016
    • Editor Mansun Chan, Lining Zhang
    • Sprache Englisch
    • Lesemotiv Verstehen
    • Anzahl Seiten 224
    • Größe H235mm x B155mm x T13mm
    • Jahr 2018
    • EAN 9783319810874
    • Format Kartonierter Einband
    • ISBN 3319810871
    • Veröffentlichung 22.04.2018
    • Titel Tunneling Field Effect Transistor Technology
    • Gewicht 347g
    • Herausgeber Springer International Publishing

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