Additionneurs complets à base de CNFET pour les applications critiques

La demande persistante de l'industrie pour des produits électroniques grand public de petite taille et de faible puissance nous incite à rechercher de nouvelles voies pour améliorer la conception. Avec les nombreuses technologies disponibles et à venir pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, la sélection de la technologie qui peut être qualifiée d'avenir de l'industrie nécessite de les évaluer par rapport à diverses exigences, contraintes et paramètres. L'article présente de nouveaux circuits additionneurs complets à faible puissance et à grande vitesse utilisant des transistors à effet de champ à nanotube de carbone pour des applications en temps réel, tolérantes aux pannes et critiques.

Autorentext

Dr. Jitendra Kumar Saini was born in Jaipur, Rajasthan, India. He received his B.E., M.Tech. and Ph.D. degree ECE from Birla Institute of Technology, Mesra; Malviya National Institute of Technolgy, Jaipur & Manipal University Jaipur. Currently, he is an Associate Professor in the E.C.E. department at Vignan's LARA Institute of Technology & Science.

Klappentext

La demande persistante de l'industrie pour des produits électroniques grand public de petite taille et de faible puissance nous incite à rechercher de nouvelles voies pour améliorer la conception. Avec les nombreuses technologies disponibles et à venir pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, la sélection de la technologie qui peut être qualifiée d'avenir de l'industrie nécessite de les évaluer par rapport à diverses exigences, contraintes et paramètres. L'article présente de nouveaux circuits additionneurs complets à faible puissance et à grande vitesse utilisant des transistors à effet de champ à nanotube de carbone pour des applications en temps réel, tolérantes aux pannes et critiques.