Advanced Silicon Etching

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High Quality Content by WIKIPEDIA articles! High Quality Content by WIKIPEDIA articles! Reaktives Ionentiefenätzen (engl. deep reactive ion etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (dem Verhältnis von Tiefe zu Breite) von bis zu 50:1, wobei Strukturtiefen von einigen 100 Mikrometern erreicht werden können.

Weitere Informationen

  • Allgemeine Informationen
    • GTIN 09786131952722
    • Editor Lambert M. Surhone, Mariam T. Tennoe, Susan F. Henssonow
    • Genre Physik & Astronomie
    • EAN 9786131952722
    • Titel Advanced Silicon Etching
    • Herausgeber Betascript Publishing
    • Anzahl Seiten 68

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