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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
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8M3061N9T3J
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Geliefert zwischen Mi., 21.01.2026 und Do., 22.01.2026
Details
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09783866446151
- Genre Elektrotechnik
- Sprache Englisch
- Lesemotiv Verstehen
- Anzahl Seiten 262
- Größe H210mm x B148mm x T17mm
- Jahr 2014
- EAN 9783866446151
- Format Kartonierter Einband
- ISBN 3866446152
- Veröffentlichung 18.08.2014
- Titel AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
- Autor Jutta Kühn
- Untertitel Dissertationsschrift
- Gewicht 384g
- Herausgeber Karlsruher Institut für Technologie
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