Analyse thermodynamique des processus de croissance de la couche épitaxiale

Le présent travail est consacré à l'analyse thermodynamique des processus physico-chimiques de croissance des couches épitaxiales du composé semi-conducteur Ga2Se3 à partir de la phase gazeuse dans le système d'écoulement Ga - Se - Cl - H et à la modélisation des processus technologiques pour la prévision des variantes technologiques possibles et la détermination des conditions optimales pour la synthèse de ce composé. Les résultats des recherches sur la définition et le calcul des paramètres thermodynamiques des substances individuelles du système Ga - Se - Cl - H sont donnés, pour leur utilisation à la modélisation thermodynamique des processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 à partir d'une phase gazeuse. Le lien entre les variables thermodynamiques et les paramètres technologiques du processus de synthèse du Ga2Se3 dans un réacteur de type ouvert avec des sources séparées de gallium et de sélénium est étudié. Le schéma de calcul des paramètres technologiques du processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 dans le système de transport de gaz en flux avec des sources séparées de gallium et de sélénium est illustré.

Autorentext

Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.

Klappentext

Le présent travail est consacré à l'analyse thermodynamique des processus physico-chimiques de croissance des couches épitaxiales du composé semi-conducteur Ga2Se3 à partir de la phase gazeuse dans le système d'écoulement Ga - Se - Cl - H et à la modélisation des processus technologiques pour la prévision des variantes technologiques possibles et la détermination des conditions optimales pour la synthèse de ce composé. Les résultats des recherches sur la définition et le calcul des paramètres thermodynamiques des substances individuelles du système Ga - Se - Cl - H sont donnés, pour leur utilisation à la modélisation thermodynamique des processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 à partir d'une phase gazeuse. Le lien entre les variables thermodynamiques et les paramètres technologiques du processus de synthèse du Ga2Se3 dans un réacteur de type ouvert avec des sources séparées de gallium et de sélénium est étudié. Le schéma de calcul des paramètres technologiques du processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 dans le système de transport de gaz en flux avec des sources séparées de gallium et de sélénium est illustré.