Aufbau eines elektrischen Widerstandsmesssystems

Der nachstehende Text beschreibt ein experimentelles Verfahren, das als Anleitung für Fachleute oder sogar Industrielle dienen kann, die die Kelvin- oder 4-Punkt-Methode unter ähnlichen Bedingungen wie den nachstehend beschriebenen reproduzieren möchten, um elektrische Eigenschaften in leitenden und Halbleitermaterialien zu erhalten. Dieser Text zeigt nicht nur die verwendeten Geräte, sondern verdeutlicht auch, wie wichtig es ist, über Geräte und Vorrichtungen zu verfügen, die einfach und schnell eingesetzt werden können, um zuverlässige und konkrete Mikro- und sogar Nanometerwerte dieser Eigenschaften zu erhalten.Gleichzeitig erfordert die Entwicklung und Anwendung der Methode mit der Messquelle, einem primären Gerät, das als Kontrollinstrument für die angewendete physikalische Größe (elektrischer Strom) dient, deren korrekte Verwendung. Dieser Text enthält auch eine kurze Erläuterung der Verwendung der Quelle und einiger ihrer Merkmale.

Autorentext

Emmanuel Espinosa de la BorbollaEngenheiro de Energia, Universidade Autônoma Metropolitana do México.Enrique Barrera CalvaProfessor/Pesquisador. Universidade Autônoma Metropolitana. Cidade do MéxicoCarlos Álvarez MacíasProfessor/Pesquisador. Instituto Tecnológico de La Laguna, Torreón, Coahuila.