CMOS-LNA im 130nm-Prozess

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Details

Der Bereich der Elektronik bewegt sich unaufhaltsam auf die immer kleiner werdenden Technologien zu. Die Technologie einer neuen Generation erreicht jetzt die Nanoskala. Da die Technologie schrumpft, hat sie einige Vor- und Nachteile. RFICs nutzen diese Nanotechnologie für die effektive Arbeit. Es gibt jedoch einige Probleme bei der Entwicklung von RFICs aufgrund der Skalierung der Technologie, wie z. B. geringer Stromverbrauch, Entwicklung verschiedener Schaltungen wie rauscharme Verstärker (LNA), Mischer, Differenzverstärker usw., Rauschzahl, Impedanzanpassung, Linearität, Lebensdauer von RFICs, Leckstrom usw. Unter all diesen Herausforderungen sind die Linearität und die Rauschzahl von rauscharmen Verstärkern ein Hindernis für ein effizientes RFIC-Design.

Autorentext

1) Prof. Sandip R. Udawant, M.E E & TC, Fachbereich ECE, Om Parkash Jogender Singh Universität, Churu (Raj.) und Assistenzprofessor, Fachbereich E & TC, Dr.VithalraoVikhe Patil COE, Ahmednagar (Maharashtra).2) Dr. Suman Rani, PhD ECE, außerordentlicher Professor, Fachbereich ECE, Om Parkash Jogender Singh University, Churu (Raj.)

Weitere Informationen

  • Allgemeine Informationen
    • GTIN 09786205598061
    • Sprache Deutsch
    • Größe H220mm x B150mm x T5mm
    • Jahr 2023
    • EAN 9786205598061
    • Format Kartonierter Einband
    • ISBN 978-620-5-59806-1
    • Veröffentlichung 18.01.2023
    • Titel CMOS-LNA im 130nm-Prozess
    • Autor Sandip Udawant , Suman Rani
    • Untertitel Verbesserte Rauschzahl und Linearitt durch Oberwellenunterdrckung
    • Gewicht 119g
    • Herausgeber Verlag Unser Wissen
    • Anzahl Seiten 68
    • Genre Bau- & Umwelttechnik

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