Comprendre la croissance des nanofils InAs/GaAs épitaxiaux

Les matériaux à petite échelle présentent des propriétés prometteuses qui sont utiles pour une grande variété d'applications. Les puits quantiques et les points quantiques des semi-conducteurs sont deux exemples principaux de systèmes à faible dimension, où les puits quantiques agissent comme des systèmes à deux dimensions et les points quantiques comme des systèmes à zéro dimension. Par ailleurs, les nanofils semi-conducteurs agissent comme des matériaux unidimensionnels, et ils présentent des propriétés prometteuses et applicables aux dispositifs. Ces nanofils semi-conducteurs devraient être les éléments de base de la future technologie des dispositifs nanoélectroniques et nano-optoélectroniques. La modulation de la composition au sein d'un nanofil individuel (hétérostructure) permet de concevoir la structure de bande d'un nanofil et donc de fabriquer des dispositifs à un seul nanofil. Ces hétérostructures de nanofils présentent de nombreuses propriétés potentielles et des applications conséquentes. Cependant, les mécanismes fondamentaux de croissance des hétérostructures de nanofils n'ont pas été suffisamment explorés en raison de la nature complexe de leur croissance. À cet égard, ce livre aborde les questions fondamentales associées à la croissance des hétérostructures de nanofils épitaxiales axiales et radiales.

Autorentext

El Dr. Mohan chand Paladugu se doctoró en Ingeniería de Materiales por la Universidad de Queensland, Brisbane, Australia, y obtuvo un máster en Tecnología (M.Tech) por el Instituto Indio de Tecnología de Madrás (IITM), India. Además, cuenta con varios años de experiencia laboral esencial en las industrias metalúrgica y de procesamiento de materiales.