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CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE
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CIRLD3O0659
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Geliefert zwischen Di., 23.12.2025 und Mi., 24.12.2025
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DR. Hassene MNIF Maître assistant à l'ISECS de l'Université deSfax et membre du Laboratoire LETI de l'ENIS, Ses activités derecherche portent sur la modélisation de composants et sur laconception de CI RF.Thomas Zimmer professeur à l'Université de Bordeaux 1, France. Ildirige au Laboratoire IMS le groupe de recherche en"Nanoélectronique".
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09786131500848
- Herausgeber Éditions universitaires européennes
- Anzahl Seiten 204
- Genre Technologie
- Untertitel CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE
- Autor Hassene Mnif , Thomas Zimmer
- Größe H220mm x B220mm
- Jahr 2018
- EAN 9786131500848
- Format Kartonierter Einband
- ISBN 978-613-1-50084-8
- Titel CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE
- Sprache Französisch
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