Die Alterung von Leistungstransistoren beherrschen

Dieses Buch enthält eine umfassende experimentelle Studie über das Verhalten von SiC-JFET-Transistoren für anspruchsvolle Anwendungen in der Luftfahrt. Wir beschreiben eine umfassende Methodik, die das Design eines automatisierten Prüfstandes über LabView, die Durchführung von Robustheitstests zur Bestimmung der kritischen Energie sowie beschleunigte Alterungsversuche zur Verfolgung der Entwicklung der elektrischen Parameter umfasst. Die Ergebnisse zeigen zuverlässige Degradationsindikatoren auf und eröffnen interessante Perspektiven für die Konzeption von widerstandsfähigeren elektronischen Systemen in extremen Umgebungen.

Autorentext

T. Ben Salah, Prof. am ISSAT Sousse, Doktor INSA Lyon/FSM, Experte für Leistungselektronik. Spezialisiert auf Komponentendesign, EMV und Integration von eingebetteten Systemen. Entwickelt innovative Lösungen für kritische Anwendungen. Ansatz, der Modellierung, Simulation und experimentelle Validierung kombiniert.