Die Reise zu den Nanodrähten

Die Mikroelektronikindustrie hat sich in Richtung Nanoskala bewegt, wodurch eine niedrige Leistung und hohe Schaltgeschwindigkeit in elektronischen Schaltungen erreicht wurde. Laut der International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020 hat die heutige Technologie eine Strukturgröße von unter 10nm erreicht und bewegt sich auf 5,6nm zu. Um die Skalierung nach unten aufrechtzuerhalten, ist es nicht nur notwendig, neue Gerätearchitekturen zu entwickeln, sondern es kann auch erforderlich sein, Silizium zu ersetzen. Intel hat auf Tri-Gate-Transistoren basierende Bauelemente mit einer Gate-Länge von 14nm entwickelt. Multi-Gate-FETs und Nanowire-Transistorstrukturen werden unterhalb des 14-nm-Technologieknotens als geeignet angesehen. Vertikale Nanodrähte, die mit III-V-Verbundmaterialien, High- -Gate-Oxidmaterialien und Metallgates entwickelt wurden, bieten jedoch eine bessere Leistung.

Autorentext

Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.