Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen

Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine große Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie für fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist hauptsächlich auf die höhere Mobilität sowohl der Löcher als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurückzuführen. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie für Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.

Autorentext

T.V.Rajesh, Deakin Universität, Australien. Er hat zwei internationale Arbeiten veröffentlicht. Dr.S.V.Jagadeesh Chandra, Professor für LBRCE, Mylavaram. Er hat 1 Buch und 35 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht. Dr. CH.V.V.Ramana, Außerordentlicher Professor am CECC, Chirala. Er hat 4 Bücher, 1 Buchkapitel und 40 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht.