Eine Studie über CMOS-Leistungsverstärker für drahtlose Kommunikation

Mit der Entwicklung der modernen drahtlosen Kommunikationstechnologie werden HF-Leistungsverstärker (PAs) zu einem wichtigen Thema, da sie die Schlüsselkomponente drahtloser mobiler Kommunikationssysteme sind und die Kommunikationsqualität stark von der Leistung der HF-PAs abhängt. Moderne drahtlose Kommunikationssysteme wie CDMA2000, WCDMA, OFDM usw. zielen darauf ab, die Datenrate in einer schnelllebigen Umgebung zu maximieren. Die modulierten Signale dieser Systeme erfordern sowohl eine gute Linearität als auch eine gute Effizienz, während die Signale ein hohes Verhältnis von Spitzen- zu Durchschnittsleistung aufweisen. Linearität und Effizienz sind also zwei der wichtigsten Eigenschaften von PAs für drahtlose Anwendungen. In letzter Zeit werden immer mehr HF-Komponenten im CMOS-Verfahren integriert, um die Anforderungen an niedrige Kosten und geringe Größe in drahtlosen Verbrauchermärkten zu erfüllen. Die Entwicklung von CMOS-Leistungsverstärkern ist jedoch aufgrund der niedrigen Durchbruchspannung, des leitfähigen Si-Untergrunds und des Fehlens von Massedurchführungen schwierig. All dies macht die Entwicklung eines voll integrierten PA extrem schwierig. Dieses Buch konzentriert sich auf die Verbesserung der Effizienz und Linearisierungstechniken für CMOS-Leistungsverstärker.

Autorentext

Dr. Chenxi Zhao erhielt 2014 seinen Doktortitel von der Universität für Wissenschaft und Technologie Pohang. Seit 2014 ist er Dozent an der Universität für elektronische Wissenschaft und Technologie in China. Zu seinen Hauptforschungsinteressen gehören die Modellierung von HF-CMOS-Bauteilen, CMOS-HF-Transceiver und Leistungsverstärkerdesign für Millimeterwellenanwendungen.