Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen

GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben.

Autorentext

Dr.-Ing. Thomas Wunderer arbeitet seit vielen Jahren auf dem Gebiet der Gruppe III-Nitride und hat entscheidende Beitr in der Entwicklung von effizienten semipolaren LED- und Laser-Strukturen geleistet. Derzeit ist er bei PARC, Inc. besch igt, wo er neuartige UV-Licht emittierende Bauelemente untersucht.