Entwicklung und Analyse von CdSe- und CdInSe-Dünnschichten

Die Dünnschichtwissenschaft und -technologie ist eine der ältesten Künste und modernen Wissenschaften und spielt eine wichtige Rolle in der High-Tech-Industrie. Es gibt verschiedene physikalische und chemische Methoden für die Abscheidung von Dünnschichten aus einer Vielzahl von Metallen, Isolatoren oder Dielektrika usw. Diese Schichten können auf kostengünstigen Substraten wie Glas, Metall oder Kunststoff abgeschieden werden. Kadmiumselenid (CdSe), ein n-Typ-Material (1,7 eV), wird wegen seines hohen Absorptionskoeffizienten und seiner nahezu optimalen Bandlückenenergie für die effiziente Absorption von Licht und die Umwandlung in elektrischen Strom als wichtig für photovoltaische Anwendungen angesehen. In ähnlicher Weise hat Cadmium-Indium-Selenid (CdInSe - 1,88 eV, n-Typ) in den letzten zehn Jahren aufgrund seiner maßgeschneiderten Eigenschaften einen großen Aufschwung erlebt und bietet potenzielle Anwendungen für die Umwandlung von Solarenergie. Für die Herstellung von CdSe- und CdInSe-Dünnschichten wurde die Technik der chemischen Badabscheidung angewandt. Die hergestellten CdSe- und CdInSe-Dünnschichten wurden mit XRD-, SEM-, EDAX-, PL-, UV- und VSM-Techniken charakterisiert. Die Ergebnisse und Diskussionen werden in diesem Buch zusammen mit einführenden Punkten vorgestellt.

Autorentext
Dr. K. Girija ist Assistenzprofessorin in der Abteilung für Physik am Dr. N.G.P Arts and Science College, Indien. Sie promovierte an der Abteilung für Nanowissenschaften und -technologie der Bharathiar-Universität. Ihre Forschung befasst sich auch mit der Herstellung und Bewertung von Nanomaterialien für multifunktionale Anwendungen.