Entwurf eines miniaturisierten RF MEMS-Phasenschiebers mit MEMS-Schaltern

Das primäre Ziel dieses Artikels konzentriert sich auf die Entwicklung von MEMS-Hochleistungsschaltern und die Konstruktion eines miniaturisierten 5-Bit-Phasenschiebers. Eines der einzigartigen Merkmale des vorgeschlagenen Schalters ist eine dreieckige Form mit verbesserten Eigenschaften wie niedriger Betätigungsspannung, hoher Isolation, niedriger Einfügedämpfung, niedrigem Stressfaktor und guter Rückflussdämpfung. Der MEMS-Schalter ist in einer Serienkonfiguration mit koplanarer Wellenleiter (CPW) Implementierung entworfen. Das Design des neuartigen dreieckigen Schalters besteht aus den schrittweisen Eigenschaften des rechteckigen, dreieckigen und des vorgeschlagenen dreieckigen Niederspannungsschalters für HF, Mechanik und die Phasenverschiebungen werden untersucht und verglichen. Das primäre Ziel dieses Artikels konzentriert sich auf die Entwicklung von MEMS-Hochleistungsschaltern und die Konstruktion eines miniaturisierten 5-Bit-Phasenschiebers. Eines der einzigartigen Merkmale des vorgeschlagenen Schalters ist eine dreieckige Form mit verbesserten Eigenschaften wie niedriger Betätigungsspannung, hoher Isolation, niedriger Einfügedämpfung, niedrigem Stressfaktor und guter Rückflussdämpfung. Der MEMS-Schalter ist in einer Serienkonfiguration mit koplanarer Wellenleiter (CPW) Implementierung entworfen. Das Design des neuartigen dreieckigen Schalters besteht aus den schrittweisen Eigenschaften des rechteckigen, dreieckigen und des vorgeschlagenen dreieckigen Niederspannungsschalters für HF, Mechanik und die Phasenverschiebungen werden untersucht und verglichen.

Autorentext

Anitha G. is a Postgraduate Teacher at Model Higher Secondary School in Kallakurichi District and a doctoral researcher in education at Madurai Kamaraj University and Dr. M. Rajeshkumar is an Assistant Professor at the Centre for Educational Research, Madurai Kamaraj University.