Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS

Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que : les variations de la tension de seuil DeltaVth, de la tension de bandes plates DeltaVfb, de la densité des états d'interface moyenne Delta Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Deltas ;s = sn.s p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2mim a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.

Autorentext

Yazid Derouiche - Enseignant Chercheur, Département des Sciences de la Matière, Université ZIANE Achour - Djelfa. Étude en graduation: Université des Sciences et de la Technologie (USTHB - Alger). Étude en post graduation: USTHB - Alger et l'Université des Sciences et Technologies Lille 1 (Villeneuve d'Ascq - France).

Klappentext

Dans ce livre est définie la méthodologie d extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l interface Si/SiO2 d un transistor MOSFET; tels que : les variations de la tension de seuil Vth, de la tension de bandes plates Vfb, de la densité des états d interface moyenne Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique ; = n. p [cm2]. Les pièges lents dans l oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2 m a été menée à l aide d un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.