FOTOLEITFÄHIGKEIT VON CDS

CdS ist ein bekannter II-VI-Halbleiter und hat eine direkte Bandlücke von 2,42 eV bei Raumtemperatur. Halbleiter in Nanostrukturen finden breite Anwendung als Laser, Detektoren, Feldemitter, Wellenleiter, Photoleiter, logische Gatter, piezoelektrische Nanogeneratoren, farbstoffsensibilisierte Solarzellen und Thermoelektronik. In jüngster Zeit wurden mehrere 1D-Nanostrukturen von CdS synthetisiert und untersucht, wie z. B. Nanodrähte, Nanoribons, Nanostäbchen und Nanoröhren. Nur sehr wenige haben jedoch neuartige komplexe 3D-Strukturen wie blumen- und baumähnliche Strukturen durch solvothermische Verfahren synthetisiert. In der neueren Forschung sind die Synthese komplexer 3D-Strukturen und die Untersuchung ihrer Eigenschaften eine wichtige Aufgabe und müssen entwickelt werden, da komplexe Strukturen mehr neuartige Eigenschaften aufweisen können, die für bestehende und neuartige Geräteanwendungen nützlich sind. Michael Kokotov und sein Kollege synthetisierten einen blumenähnlich strukturierten 3D-CdS-Film durch chemische Badabscheidung in einem Schritt, nachdem sie eine KMnO4-Keimschicht gebildet hatten. Es gibt kaum Berichte über die Synthese reiner CdS-Filme mit Blumenstruktur, und es besteht ein Bedarf an einem detaillierten Wachstumsmechanismus für die Bildung komplexer 3D-Strukturen in dünnen Filmen.

Autorentext

O Dr. P. M. Razad obteve o seu doutoramento em Física na Universidade de Bharathiar com o apoio do UGC-DAE CSR, Indore. Publicou nove artigos de investigação em revistas internacionais de renome. Ingressou como professor assistente no Sriramakrishna College of Arts & Science em 2018. O Dr. V. Poonguzhali e o Prof. R. Dhivya são co-autores deste livro.