Wir verwenden Cookies und Analyse-Tools, um die Nutzerfreundlichkeit der Internet-Seite zu verbessern und für Marketingzwecke. Wenn Sie fortfahren, diese Seite zu verwenden, nehmen wir an, dass Sie damit einverstanden sind. Zur Datenschutzerklärung.
Gallium Nitride
CHF 57.15
Auf Lager
SKU
ED3EF62QM3S
1 Verfügbar 
Geliefert zwischen Mi., 26.11.2025 und Do., 27.11.2025
Details
Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. Its sensitivity to ionizing radiation is low (like other group III nitrides), making it a suitable material for solar cell arrays for satellites. Because GaN transistors can operate at much hotter temperatures and work at much higher voltages than gallium arsenide (GaAs) transistors, they make ideal power amplifiers at microwave frequencies.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09786130803438
- Editor Frederic P. Miller, Agnes F. Vandome, John McBrewster
- Genre Physik & Astronomie
- EAN 9786130803438
- Format Fachbuch
- Titel Gallium Nitride
- Herausgeber Alphascript Publishing
- Anzahl Seiten 140
Bewertungen
Schreiben Sie eine Bewertung
