Gerätemodellierung und Charakterisierung von Hybridgeräten

In elektronischen Schaltungen mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Geschwindigkeit werden Bauelemente mit steileren Kennlinien benötigt. Die Geschwindigkeit des Bauelements steigt mit steileren IV-Charakteristiken, und eine niedrige Leistung wird durch den Betrieb des Bauelements im Unterschwellenbereich erreicht. Die Messung der Ströme im Unterschwellenbereich stellt eine große Herausforderung dar. Um eine hohe Schaltleistung zu erreichen, müssen wir ein neues Bauelement vorschlagen, das die Vorteile von FinFET und TFET vereint. In dieser Arbeit wird ein hybrides Bauelement mit einem SS-Wert < 25 mV/Dez vorgeschlagen. Synopsis Centaurus TCAD wird in dieser Arbeit für die Modellierung und Charakterisierung der Bauelemente verwendet.

Autorentext

El Dr. Ajay Kumar Dharmireddy se doctoró en la Universidad GITAM. Máster en Diseño VLSI por el Instituto de Tecnología Bannari Amman, Sathyamagalam. B.Tech grado de BVCIT&S, Amalapuram, afiliado a JNTUH, y actualmente trabaja como profesor asociado en SIR.C.R. Reddy Colegio de Ingeniería, Eluru, Andhra Pradesh.