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Halbleiterprobleme
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TFSSI6VNFIR
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Inhalt
Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09783662161111
- Genre Theoretische Physik
- Auflage 1956
- Editor W. Schottky
- Sprache Deutsch
- Lesemotiv Verstehen
- Anzahl Seiten 280
- Herausgeber Springer Berlin Heidelberg
- Größe H244mm x B170mm x T16mm
- Jahr 2014
- EAN 9783662161111
- Format Kartonierter Einband
- ISBN 978-3-662-16111-1
- Veröffentlichung 23.08.2014
- Titel Halbleiterprobleme
- Untertitel In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
- Gewicht 508g
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