Herstellung und Charakterisierung von Graphen Side Gate Transistoren

In der vorliegenden Arbeit werden Graphen Side-Gate-Transistoren vorgestellt und elektrisch charakterisiert. Graphen besteht aus einem zweidimensionalen Gitter aus Kohlenstoffatomen, weshalb ein planares Transistordesign vorteilhaft ist. Da Side-Gate-Transistoren bisher jedoch wenig Beachtung finden, widmet sich diese Arbeit der Erforschung der elektrischen Parameter dieses interessanten Bauelementes.

Autorentext

Bernd Hähnlein, geboren 1983 in Sonneberg, Fachinformatiker für Systemintegration 2006, anschließend Studium der Technischen Physik an der TU Ilmenau. Das vorliegende Buch ist das Erstlingswerk des Autors.