Herstellung von variablen Halbleitermischungen

Das Buch widmet sich der Herstellung der neuen Varison-Halbleiter (Ge2)1-x(ZnSe)x , (GaAs)1-x(ZnSe)x , (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y, Si1-xGex-Mischkristalle und Ge¬- (Ge2)1-x(ZnSe)x , GaAs - (Ge2)1-x(ZnSe)x , Ge¬- (GaAs)1-x(ZnSe)x, GaAs ¬- (GaAs)1-x(ZnSe)x , Ge - (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y, GaAs - (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y , Si-Si1-xGex -(Ge2)1-x(GaAs)x Strukturen mit spezifischen photovoltaischen und elektrophysikalischen Eigenschaften auf der Basis von Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems und chemischen Verbindungen der Klasse A3 B5 , A2 B6. Mit Hilfe von theoretischen Formeln wird vorhergesagt, dass ihre Paare kristalline, perfekte Mischkristalle bilden.

Autorentext

Les professeurs associés A. Razzakov, A. Matnazarov et G. Yuldasheva sont chargés de cours à l'université d'État d'Urgen.