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High-Bandwidth Memory Interface
Details
This book provides an overview of recent advances in memory interface design at both the architecture and circuit levels. Coverage includes signal integrity and testing, TSV interface, high-speed serial interface including equalization, ODT, pre-emphasis, wide I/O interface including crosstalk, skew cancellation, and clock generation and distribution. Trends for further bandwidth enhancement are also covered.
Enables readers with minimal background in memory design to understand the basics of high-bandwidth memory interface design Presents state-of-the-art techniques for memory interface design Covers memory interface design at both the circuit level and system architecture level Includes supplementary material: sn.pub/extras
Inhalt
An introduction to high-speed DRAM.- An I/O Line Configuration and Organization of DRAM.- Clock generation and distribution.- Transceiver Design.- TSV Interface for DRAM.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09783319023809
- Genre Elektrotechnik
- Auflage 2014
- Sprache Englisch
- Lesemotiv Verstehen
- Anzahl Seiten 96
- Größe H235mm x B155mm x T6mm
- Jahr 2013
- EAN 9783319023809
- Format Kartonierter Einband
- ISBN 3319023802
- Veröffentlichung 18.11.2013
- Titel High-Bandwidth Memory Interface
- Autor Chulwoo Kim , Junyoung Song , Hyun-Woo Lee
- Untertitel SpringerBriefs in Electrical and Computer Engineering
- Gewicht 160g
- Herausgeber Springer International Publishing