Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode

Die Zuverlässigkeit von InGaN/GaN-Leuchtdioden (LEDs) mit verschiedenen Emissionswellenlängen und unterschiedlichen Geometrien wurde untersucht. Die Geräteleistungen, wie Strom-Spannungs-Charakteristik, 1/f-Rauschspektrum, Leckage, statischer Widerstand, wurden gemessen. Die Bauelemente wurden einem 1000-stündigen Konstantstrom-Stresstest unterzogen und ihre optische Leistungsdegradation wurde untersucht. Die Ergebnisse wurden anhand von Querverweisdaten erklärt.

Autorentext

Zonglin Li obtuvo el título de M.S.E. en 2009 por la Universidad de Hong Kong. Actualmente está trabajando para obtener el título de doctorado en ingeniería eléctrica en la Universidad de California en Riverside. Sus principales intereses son el proceso, la tecnología y la integración de dispositivos basados en nitruro de galio en la plataforma de silicio.