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IC-Design eines analogen CMOS-UHF-RFID-Frontends
Details
Die Anwendung der Ultrahochfrequenz-Radiofrequenzidentifikation (RFID) hat seit der Ratifizierung des EPC Class 1 Gen 2 (EPC C1G2, auch bekannt als ISO 18000-6C) Protokolls an Dynamik gewonnen. Die begrenzte Verfügbarkeit von Schottky-Barrier-Dioden (SBD) hat die Suche nach alternativen Schaltungslösungen zur Herstellung von UHF-RFID-Chips mit vergleichbarer Leistung unter Verwendung typischer CMOS-Prozesse vorangetrieben. Das analoge Frontend von UHF-RFID besteht aus vier Bausteinen: UHF-HF-zu-DC-Gleichrichter, Spannungsreferenz und -regler, Modulator und Demodulator. In diesem Buch wurde der dynamische Schwellenwert-MOSFET (DTMOST) als vielversprechendes Bauelement für Anwendungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch identifiziert und es wurden Schaltungstopologien und Entwurfsmethoden unter Verwendung von DTMOST für das UHF-RFID-AFE untersucht. Alle Schaltungsentwürfe und Analysen basieren auf einer CMOS-Technologie mit 0,18 µm Einzelpolysilizium, sechs Metallschichten (1P6M) und dreifacher Wannenstruktur. Die Leistungssteigerung, der Stromverbrauch, der Flächenbedarf und die Designaspekte der DTMOST-Techniken wurden mit denen herkömmlicher Zellen verglichen und gegenübergestellt.
Autorentext
Ying-Khai Teh hat einen Doktortitel der Hong Kong University of Science and Technology. Derzeit ist er Assistenzprofessor am Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik der San Diego State University in Kalifornien, USA. Er ist Stipendiat des Telekom Malaysia Undergraduate Scholarship, des Canadian Commonwealth Scholarship und des Hong Kong PhD Fellowship.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09786208955816
- Sprache Deutsch
- Genre Physik & Astronomie
- Größe H220mm x B150mm x T7mm
- Jahr 2025
- EAN 9786208955816
- Format Kartonierter Einband
- ISBN 978-620-8-95581-6
- Veröffentlichung 21.06.2025
- Titel IC-Design eines analogen CMOS-UHF-RFID-Frontends
- Autor Ying-Khai Teh
- Untertitel Schaltungsdesigntechniken fr CMOS-UHF-RFID-AFE unter Verwendung von MOSFETs mit dynamischem Schwellwert
- Gewicht 155g
- Herausgeber Verlag Unser Wissen
- Anzahl Seiten 92