Interface des capteurs électrochimiques de mercure (II)

Ce travail porte sur la conception des capteurs électrochimiques et l'étude des processus à l'interface de ces capteurs réalisés avec la pâte de carbone, la pâte de silicium et la pâte de composite silicium-carbone sont en contact avec l'indigo carmine à pH = 10. La technique expérimentale est basée sur la voltamétrie. L'étude du comportement électrochimique de l'indigo carmine sur les électrodes à pâte de carbone et à pâte de silicium-carbone en votamétrie cyclique présente un pic : l'oxydation de l'indigo carmine en dehydroindigo carmine. Cette oxydation permet la formation de la couche sensible.Le silicium en contact avec l'indigo carmine ne présente pas de pic redox. La jonction silicium / indigo carmine est une jonction PN. La courbe C-2(V) = f(V) de la capacité différentielle de la zone de charge d'espace n'est pas linéaire. Elle traduit une ionisation du niveau profond du semi-conducteur. La courbure de bande vers le bas du semi-conducteur est obtenue pour un potentiel de surface Vs = -0, 4V.

Autorentext

N'DRI SEINY ROGER- diplômé de l'Université Félix Houphouët-Boigny de Côte d'Ivoire d'un Master de recherche en physique du solide et d'un doctorat de sciences physiques, mention chimie physique. Il effectue ses activités de recherche au sein du Laboratoire des Sciences Physiques Fondamentales et Appliquées de l'Ecole Normale Supérieure d'Abidjan.

Klappentext

Ce travail porte sur la conception des capteurs électrochimiques et l'étude des processus à l'interface de ces capteurs réalisés avec la pâte de carbone, la pâte de silicium et la pâte de composite silicium-carbone sont en contact avec l'indigo carmine à pH = 10. La technique expérimentale est basée sur la voltamétrie. L'étude du comportement électrochimique de l'indigo carmine sur les électrodes à pâte de carbone et à pâte de silicium-carbone en votamétrie cyclique présente un pic : l'oxydation de l'indigo carmine en dehydroindigo carmine. Cette oxydation permet la formation de la couche sensible.Le silicium en contact avec l'indigo carmine ne présente pas de pic redox. La jonction silicium / indigo carmine est une jonction PN. La courbe C-2(V) = f(V) de la capacité différentielle de la zone de charge d'espace n'est pas linéaire. Elle traduit une ionisation du niveau profond du semi-conducteur. La courbure de bande vers le bas du semi-conducteur est obtenue pour un potentiel de surface Vs = -0, 4V.