KOSTEN UND STROMVERBRAUCH DER NEUEN MRAM-SPEICHERTECHNOLOGIE

Der Stromverbrauch des Hauptspeichers hat einen erheblichen Einfluss auf die Leistung des Mikroprozessorsystems. Die aus der vom Hauptspeicher verbrauchten Energie erzeugte Leistung ist eine der kritischen Einschränkungen der Mikroprozessorleistung. Dies ist insbesondere bei tragbaren Computergeräten und eingebetteten Computern wie Mobiltelefonen, PDAs und Laptops zu beobachten.Magnetic RAM (MRAM) ist eine neue Speichertechnologie, die die hohe Geschwindigkeit von Static RAM (SRAM) mit den Zugriffs-, Dichte- und Kostenmerkmalen von DRAM kombiniert. SRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die Daten in ihren Zellen ohne Vorladung speichert. Sie wird hauptsächlich als Cache in Computern verwendet. MRAM nutzt Magnetismus, um Datenbits zu speichern. Es nutzt die magnetische Polarität einer dünnen ferromagnetischen Schicht, um Daten zu speichern. Elektrizität wird verwendet, um die magnetische Polarität seiner Zelle zu schalten.

Autorentext

Dr. Shehu Salihu Mustafa hat einen Bachelor-Abschluss in Elektrotechnik von der Federal University of Technology Minna. Anschließend erwarb er einen MSc in Computertechnik an der University of Hertfordshire, Großbritannien. Er promovierte in elektrischer Energietechnik an der Universiti Putra Malaysia.