Magnetische Tunnelelementemit Halbmetall-Elektroden

Grundbaustein für neuartige Datenspeicher ist dasmagnetische Tunnelelement. Dieses besteht imWesentlichen aus zwei ferromagnetischen Elektroden,die durch eine dünne Isolatorschicht voneinandergetrennt sind. Der Widerstand des Isolators (der sogenannten Tunnelbarriere) hängt dabei von derrelativen Orientierungder Magnetisierung der beiden Ferromagnete ab. DieWiderstandsänderung wird Magnetowiderstandseffektgenannt. In erster Näherung hängt die Effektgröße vonder Wahl des Elektrodenmaterials ab. WerdenHalbmetalle verwendet, ergibt sich theoretisch eineunendlichgroße Widerstandsänderung. Im realen System hängtder Magnetowiderstandseffekt aber außerdem von derQualität der Elektroden, der Barriere und derenGrenzflächen ab. Diese Schrift befasst sich mit derOptimierung von Tunnelelementen mit halbmetallischenElektroden, wie das Eisenoxid Magnetit und dieHeusler-Legierungen Co2MnSi und Co2FeSi. Der Fokusliegt dabei auf einer Charakterisierung dermagnetischen, chemischen undelektronischen Eigenschaften derBarrieren/Elektroden-Grenzflächen. Das Buch gibtpraktische Hinweise für die erfolgreiche Präparationvon oben genannten magnetischen Tunnelelementen.

Autorentext

Marc D. Sacher studierte Physik an der Uni Bielefeld und promovierte dort mit der vorliegenden Schrift. Für die durchzuführenden Experimente schwärmte er aus, u.a. in das sonnige Kalifornien nach Berkeley an die Advanced Light Source. Zur Zeit arbeitet er als Akademischer Rat a.Z. am Lehrstuhl Molekül- und Oberflächenphysik der Uni Bielefeld.

Klappentext
Grundbaustein für neuartige Datenspeicher ist das magnetische Tunnelelement. Dieses besteht im Wesentlichen aus zwei ferromagnetischen Elektroden, die durch eine dünne Isolatorschicht voneinander getrennt sind. Der Widerstand des Isolators (der so genannten Tunnelbarriere) hängt dabei von der relativen Orientierung der Magnetisierung der beiden Ferromagnete ab. Die Widerstandsänderung wird Magnetowiderstandseffekt genannt. In erster Näherung hängt die Effektgröße von der Wahl des Elektrodenmaterials ab. Werden Halbmetalle verwendet, ergibt sich theoretisch eine unendlich große Widerstandsänderung. Im realen System hängt der Magnetowiderstandseffekt aber außerdem von der Qualität der Elektroden, der Barriere und deren Grenzflächen ab. Diese Schrift befasst sich mit der Optimierung von Tunnelelementen mit halbmetallischen Elektroden, wie das Eisenoxid Magnetit und die Heusler-Legierungen Co2MnSi und Co2FeSi. Der Fokus liegt dabei auf einer Charakterisierung der magnetischen, chemischen und elektronischen Eigenschaften der Barrieren/Elektroden-Grenzflächen. Das Buch gibt praktische Hinweise für die erfolgreiche Präparation von oben genannten magnetischen Tunnelelementen.