Minimierung der dynamischen Kraft durch strukturelle Veränderungen &Vt Techniken

In den letzten zehn Jahren stand das energiesparende, energieeffiziente Very Large Scale Integration Design im Mittelpunkt der aktiven Forschung und Entwicklung. Die schnelle Skalierung der Technologie, die wachsende Integrationskapazität und die Verlustleistung sind die Faktoren, die dazu beitragen, dass die Komplexität des modernen VLSI-Designs zunimmt. Spannungsskalierung ist eine der effizientesten Methoden zur Reduzierung von Leistung und Energie in VLSI-Schaltkreisen. Aufgrund der reduzierten Schwellenspannung wird die Schaltgeschwindigkeit schneller, der aktive Leckstrom wird erhöht. Es ist eine Technik zur dynamischen Verwaltung des aktiven Leckstroms erforderlich, die die Energiedissipation in VLSI-Schaltungen bei verschiedenen Schaltungen mit unterschiedlichem Komplexitätsgrad reduziert. Wenn die Technologie in den tiefen Submikrometerbereich skaliert, steigt die Subschwellen-Leckleistung exponentiell mit der Reduzierung der Schwellenspannung. Daher werden effektive Techniken zur Leckage- und dynamischen Leistungsminimierung notwendig.

Autorentext

El Dr. Dayadi Lakshmaiah, profesor de ingeniería electrónica y de comunicaciones, trabaja actualmente en el Instituto de Ingeniería y Tecnología de Sri Indu, Hyderabad, India. Obtuvo su doctorado en el JNTUK, Kakinada. Estudió el M.Tech JNTU anantapur (campus), recibió su B.Tech del Instituto Nacional de Tecnología de Warangal (RECW).