Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente

Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein neuartiges gemischtes High-k-Gate-Dielektrikum, d.h. zirkoniumdotiertes Tantaloxid (Zr-dotiertes TaOx) und Hafnium-dotiertes Tantaloxid (Hf-dotiertes TaOx), wurde für künftige MOSFET-Anwendungen eingehend untersucht. Abscheidung eines neuen High-k-Gate-Dielektrikums durch Mischung von Ta2O5 mit ZrO2 und HfO2 mittels Co-Sputtertechnik, um die Anforderungen an thermodynamische Stabilität, einen großen Bereich der Übergangstemperatur von amorph zu kristallin, eine große elektrische Bandlücke und eine große Energiebandbarriere mit Si für die ULSI-Ära zu erreichen. Es wurden umfangreiche Studien über den Herstellungsprozess und die Bauelementeigenschaften durchgeführt. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Fragen zu gemischten High-k-Gate-Dielektrika für Hochfrequenzbauelemente zu klären.

Autorentext

Dr. S.V. Jagadeesh Chandra, Professeur, Dept of ECE, LBRCE,Mylavaram. Il a publié 2 livres et 35 articles scientifiques dans des revues de référence. M. Kumar, Université Sungkyunkwan, Corée du Sud. Il a publié 02 articles internationaux. Dr.CH.V.V.Ramana, Université de Johannesburg, Afrique du Sud. Il a publié 05 livres, 01 chapitre de livre et 44 articles scientifiques.