Modélisation des paramètres de base des MOSFET non conventionnels

Dans ce livre, les techniques d'ingénierie de canal et d'ingénierie de grille sont combinées pour former de nouvelles structures de dispositifs proposées en tant que MOSFETs à grille simple-halo à double matériau (SHDMG) et à grille double-halo à double matériau (DHDMG). Les MOSFETs avancés sont dopés de manière non uniforme en raison d'un processus complexe. Par conséquent, l'un des facteurs clés pour modéliser les paramètres caractéristiques avec précision est de modéliser son profil de dopage non uniforme. Le livre présente également un potentiel de surface sous seuil analytique, une tension de seuil, un courant de drain basé sur la théorie de la dérive-diffusion et un modèle de transconductance pour les n-MOSFETs SHDMG et DHDMG linéaires et à profil gaussien fonctionnant jusqu'au régime de 40nm. Un modèle analytique de courant de drain sous seuil basé sur le potentiel quasi-Fermi pour les transistors MOS SHDMG et DHDMG linéaires et à profil gaussien, incorporant les champs frangeants aux deux extrémités du dispositif, est également proposé.

Autorentext

Swapnadip De graduated in Radio physics and Electronics from the University of Calcutta. He post graduated from Jadavpur University and is presently pursuing Ph.D from Jadavpur University. He is presently working in Meghnad Saha Inst. of Tech. as Asst. Prof. in the ECE dept. He has presented and published a number of Conference and Journal papers.

Klappentext

Dans ce livre, les techniques d'ingénierie de canal et d'ingénierie de grille sont combinées pour former de nouvelles structures de dispositifs proposées en tant que MOSFETs à grille simple-halo à double matériau (SHDMG) et à grille double-halo à double matériau (DHDMG). Les MOSFETs avancés sont dopés de manière non uniforme en raison d'un processus complexe. Par conséquent, l'un des facteurs clés pour modéliser les paramètres caractéristiques avec précision est de modéliser son profil de dopage non uniforme. Le livre présente également un potentiel de surface sous seuil analytique, une tension de seuil, un courant de drain basé sur la théorie de la dérive-diffusion et un modèle de transconductance pour les n-MOSFETs SHDMG et DHDMG linéaires et à profil gaussien fonctionnant jusqu'au régime de 40nm. Un modèle analytique de courant de drain sous seuil basé sur le potentiel quasi-Fermi pour les transistors MOS SHDMG et DHDMG linéaires et à profil gaussien, incorporant les champs frangeants aux deux extrémités du dispositif, est également proposé.