Modellierung der grundlegenden Parameter für nicht-konventionelle MOSFETs

In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichmäßig dotiert. Daher ist einer der Schlüsselfaktoren für die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichmäßigen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell für das Oberflächenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den Drainstrom und die Transkonduktanz auf der Grundlage der Drift-Diffusionstheorie für lineare und auf einem Gaußschen Profil basierende SHDMG- und DHDMG-n-MOSFETs vorgestellt, die bis zu 40 nm arbeiten. Ein auf Quasi-Fermi-Potential basierendes analytisches Modell des Drain-Stroms unterhalb der Schwelle für lineare und auf Gauß-Profil basierende SHDMG- und DHDMG-MOS-Transistoren, das auch die Streufelder an den beiden Enden des Bauelements berücksichtigt, wird ebenfalls vorgeschlagen.

Autorentext
Dr. Swapnadip De arbeitet seit dem 12. Dezember 2002 als außerordentlicher Professor in der ECE-Abteilung des Meghnad Saha Institute of Technology. Er ist ein Senior-Mitglied des IEEE und derzeit der Branch Counselor der IEEE MSIT Student Branch.