MOSFET GAA sans jonction

Dans le paysage en constante évolution de la technologie des semi-conducteurs, la recherche de dispositifs plus petits, plus rapides et plus efficaces a été la force motrice de l'innovation. Parmi la myriade d'avancées, l'émergence du transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) sans jonction Gate-All-Around (GAA) se distingue comme un jalon transformateur. Ce livre est une exploration du MOSFET GAA sans jonction, une percée qui promet de redéfinir les limites de la conception conventionnelle des transistors. De sa genèse conceptuelle à ses implications pratiques dans diverses industries, ce livre vise à dévoiler les subtilités de cette technologie de pointe. Grâce à un mélange d'idées techniques, d'applications pratiques et de perspectives d'avenir, il cherche à éclairer la voie vers un futur où les MOSFET GAA sans jonction joueront un rôle essentiel dans le façonnement du paysage des semi-conducteurs.

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Rajni Gautam a obtenu un doctorat, une maîtrise et une licence en électronique de l'université de Delhi (Inde) en 2014, 2009 et 2007 respectivement. Elle a publié 16 articles dans des revues internationales de renom et 15 articles dans des conférences internationales. Son nombre total de citations est de 338 avec un h-index de 10.