OPTISCHE UND ELEKTRONISCHE EIGENSCHAFTEN VON HALBLEITERN DER II-VI GRUPPE

Bei Halbleitern bestimmen vor allem zwei grundlegende Eigenschaften, nämlich die Energielücke und der Brechungsindex, ihre optische und elektronische Funktion. Der Brechungsindex eines Materials nimmt in der Regel mit zunehmender Energielücke ab, was eine Beziehung zwischen diesen beiden grundlegenden Größen begünstigt. Es hat viele Versuche gegeben, diese beiden Größen mit einer geeigneten empirischen oder halbempirischen Beziehung zu korrelieren. Der Brechungsindex und die Energielücke von Halbleitern stellen zwei grundlegende physikalische Aspekte dar, die ihre optischen und elektronischen Eigenschaften charakterisieren. In der vorliegenden Arbeit habe ich einige der optischen und elektronischen Eigenschaften von II-VI-Halbleitern untersucht, die in großem Umfang in Infrarotdetektoren, bipolaren Hochgeschwindigkeitstransistoren, Glasfaserkommunikationsgeräten und fortschrittlichen Mikrowellengeräten eingesetzt werden. Diese Materialien besitzen die geeignete direkte Bandlücke zur Herstellung von Leuchtdioden und Lasern mit blauen bis roten Wellenlängen. Diese Materialien zeichnen sich durch einen unterschiedlichen Grad an Ionizität aus, der sie für eine hohe elektro-optische und elektromechanische Kopplung geeignet macht. II-VI-Halbleiter mit breiter Bandlücke werden in optoelektronischen Bauelementen verwendet.

Autorentext

Sr. Rahul Navanitlal Jain, ME (Engenheiro Ambiental), MBA (HRM). Tem experiência de trabalho de 7 anos na Indústria e 9 anos no Ensino. Actualmente está a tirar doutoramento e a trabalhar como "Professor Assistente" no "Departamento de Engenharia Civil" da SOET na Universidade de Sandip, Nashik (Maharashtra)-Índia.Mr. Dipak R. Sonawane, B.E.(Civil Engg), M.Tech.(Town & Country Planning)