Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden

Neuartige p-2DHG-Kanal GaN/InGaN/GaN HEMT Strukturen als auch Mikroelektromechanische GaN und AlGaN/GaN Sensorstrukturen (MEMS) wurden unter Ausnutzung der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Gruppe-(III)-Nitriden entwickelt und charakterisiert. Niederohmige ohmsche p-Typ Kontakte bestehend aus Au/Ni/Au oder NiPd/Au konnten ein 2DHG in einer rein polarisationsdotierten InGaN/GaN Heterostruktur kontaktieren. 2DHG-Kanal HEMTs wurden temperaturabhängig charakterisiert und CV- als auch Hall-Messungen bestätigten die Existenz eines 2DHG Kanals in der InGaN/GaN Heterostruktur. Außerdem wurden freistehende GaN-Membran Strukturen auf (111)- Silizium Substrat technologisch realisiert. Interessante Polarisationseffekte in GaN-MEMS wurden durch mechanischen Stress induziert.

Autorentext

Tom Zimmermann erhielt sein Diplom(Elektrotechnik) 2002 und promovierte 2008 bei Prof. Kohn an der Universität Ulm. Bereits 2000 beschäftigte er sich mit Bauelementen (HEMTs, MEMS) basierend auf dem Gruppe-(III)-Nitrid Materialsystem und führt dies seither an der Universität Notre Dame(USA) als Visiting Research Assistant Professor fort.