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Simulation of Nano MOS Transistor
CHF 56.75
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OGEONNRDH09
Geliefert zwischen Do., 22.01.2026 und Fr., 23.01.2026
Details
This book gives an idea of modifications in fabrication steps of 22nm MOS transistor. A 22nm MOS transistor results are compared with a new modification process of stress.Their are two types of stress uniaxial and biaxial stress. Key Features: 1. Concept of Scaling. 2. Basic concept of MOS transistor. 3. Fabication process of 180nm MOS transistor. 4. Modified processes used in fabrication of 22nm MOS transistor.
Autorentext
Madhuri Borkar is currently searching a job in research field of nano-technology.Miss Madhuri Borkar holds degree a Bachelor of Engineering in Electronics and Communication from UIT-R.G.P.V. Bhopal, a Masters degree in VLSI design from VNIT Nagpur.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- GTIN 09783659256202
- Genre Elektrotechnik
- Sprache Englisch
- Anzahl Seiten 68
- Größe H220mm x B150mm x T5mm
- Jahr 2012
- EAN 9783659256202
- Format Kartonierter Einband
- ISBN 365925620X
- Veröffentlichung 06.11.2012
- Titel Simulation of Nano MOS Transistor
- Autor Madhuri Borkar
- Untertitel Simulation of 22nm NMOS Transistor
- Gewicht 119g
- Herausgeber LAP LAMBERT Academic Publishing
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