Sperrschichtloser GAA-MOSFET

In der sich ständig weiterentwickelnden Landschaft der Halbleitertechnologie ist das Streben nach kleineren, schnelleren und effizienteren Bauelementen eine treibende Kraft für Innovationen. Unter den unzähligen Fortschritten sticht die Entwicklung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) mit nahtlosem Gate-All-Around (GAA) als transformativer Meilenstein hervor. Dieses Buch befasst sich mit dem Junctionless GAA MOSFET, einem Durchbruch, der verspricht, die Grenzen des konventionellen Transistordesigns neu zu definieren. Von der konzeptionellen Entstehung bis hin zu den praktischen Auswirkungen auf verschiedene Branchen will dieses Buch die Feinheiten dieser Spitzentechnologie entschlüsseln. Mit einer Mischung aus technischen Einblicken, praktischen Anwendungen und zukunftsweisenden Perspektiven soll der Weg in eine Zukunft beleuchtet werden, in der funktionslose GAA-MOSFETs eine zentrale Rolle bei der Gestaltung der Halbleiterlandschaft spielen.

Autorentext

Dr Rajni Gautam uzyskäa stopnie doktora, magistra in yniera i licencjata w dziedzinie elektroniki na Uniwersytecie Delhi w Indiach, odpowiednio w 2014, 2009 i 2007 roku. Ma 16 publikacji w renomowanych mi dzynarodowych czasopismach i 15 publikacji na mi dzynarodowych konferencjach. Jej czna liczba cytowä wynosi 338 z indeksem h równym 10.