Transistor DG MOSFET submicronique: Modélisation du transport quantique
Details
Le présent ouvrage a pour but l étude et la modélisation des transistors DG MOSFET ultimes, il présente l'impact des effets quantiques sur les performances électriques des transistors MOSFET double grille. Après un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor MOSFET nous montrons l'intérêt de leur miniaturisation et les principaux effets issus de la réduction de ses dimensions. Nous présentons également les architectures émergentes. Aussi dans un premier temps, nous donnons la description du transport électronique par la mécanique classique, modèle de dérive-diffusion et dans un second temps, nous présentons le modèle de transport quantique, basé sur la résolution couplée des équations de Schrödinger et Poisson à deux dimensions. Ce livre servira aux étudiants universitaires en sciences de l'ingénieur ou physique ainsi qu'aux chercheurs et aux enseignants chercheurs dans ces domaines.
Autorentext
DJAMIL RECHEM Docteur en électronique de l université de Constantine 1, Algérie. Maitre de conférence à l université de Oum El Bouaghi, Algérie, il a consacré ses travaux de recherche à la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ nanométrique. Il est auteur et co-auteur de plusieurs articles scientifiques.
Klappentext
Le présent ouvrage a pour but l étude et la modélisation des transistors DG MOSFET ultimes, il présente l impact des effets quantiques sur les performances électriques des transistors MOSFET double grille. Après un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor MOSFET nous montrons l intérêt de leur miniaturisation et les principaux effets issus de la réduction de ses dimensions. Nous présentons également les architectures émergentes. Aussi dans un premier temps, nous donnons la description du transport électronique par la mécanique classique, modèle de dérive-diffusion et dans un second temps, nous présentons le modèle de transport quantique, basé sur la résolution couplée des équations de Schrödinger et Poisson à deux dimensions. Ce livre servira aux étudiants universitaires en sciences de l ingénieur ou physique ainsi qüaux chercheurs et aux enseignants chercheurs dans ces domaines.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- Sprache Französisch
- Titel Transistor DG MOSFET submicronique: Modélisation du transport quantique
- Veröffentlichung 04.03.2015
- ISBN 3841747353
- Format Kartonierter Einband
- EAN 9783841747358
- Jahr 2015
- Größe H220mm x B150mm x T11mm
- Autor Djamil Rechem
- Gewicht 268g
- Anzahl Seiten 168
- Herausgeber Éditions universitaires européennes
- GTIN 09783841747358