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Travaux sur le transistor à ionisation par impact (I-MOS)
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Né à Frankenthal (Allemagne) en 1982, Frédéric Mayer reçoit sondiplôme d'ingénieur de l' Ecole Nationale Supérieure de Physiquede Grenoble (ENSPG) en 2005. Son doctorat de physique est obtenuen 2008 pour ses travaux sur le transistor à ionisation parimpact au CEA-LETI. Actuellement chez e2v pour développer denouvelles architectures pixels.
Weitere Informationen
- Allgemeine Informationen
- Sprache Französisch
- Autor Frédéric Mayer
- Titel Travaux sur le transistor à ionisation par impact (I-MOS)
- Veröffentlichung 05.07.2010
- ISBN 6131501734
- Format Kartonierter Einband
- EAN 9786131501739
- Jahr 2010
- Größe H220mm x B150mm x T12mm
- Untertitel tude, ralisation et caractrisation sur substrat Silicium et Germanium sur isolant (SOI, GeOI)
- Gewicht 310g
- Herausgeber Éditions universitaires européennes
- Anzahl Seiten 196
- GTIN 09786131501739
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