Tunneling Field Effect Transistor Technology

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Details

This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

comprehensive reference to tunneling field effect transistors (TFETs) all aspects of TFETs, from device process to modeling and applications Enables design of power-efficient integrated circuits, with low power consumption TFETs

Inhalt
Steep Slope Devices and TFETs.- Tunnel-FET Fabrication and Characterization.- Compact Models of TFETs.- Challenges and Designs of TFET for Digital Applications.- Atomistic Simulations of Tunneling FETs.- Quantum Transport Simulation of III-V TFETs with Reduced-Order k · *p*** Method.- Carbon Nanotube TFETs: Structure Optimization with Numerical Simulation.

Weitere Informationen

  • Allgemeine Informationen
    • GTIN 09783319316512
    • Anzahl Seiten 213
    • Lesemotiv Verstehen
    • Genre Technology
    • Auflage 1st ed. 2016
    • Editor Lining Zhang, Mansun Chan
    • Herausgeber Springer International Publishing
    • Gewicht 489g
    • Größe H244mm x B162mm x T15mm
    • Jahr 2016
    • EAN 9783319316512
    • Format Fester Einband
    • ISBN 978-3-319-31651-2
    • Titel Tunneling Field Effect Transistor Technology
    • Sprache Englisch

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