Untersuchungen des elektrischen Widerstands von Metallchalkogenid-Halbleitern

Halbleiter sind die unbestrittenen Säulen der modernen Technologie. In den letzten zehn Jahren haben sich halbleitende Metalldichalcogenid-Schichten als vielversprechende Materialien für eine breite Palette von Anwendungen in der Optoelektronik und Transistortechnologie herauskristallisiert. Aus diesem Grund ist die Kenntnis ihrer elektrischen Eigenschaften unter variablen Temperatur- oder Druckbedingungen für solche Anwendungen wichtig. Darüber hinaus ist die Erforschung von Materie unter extremen Bedingungen ein zentrales Thema in einem breiten Spektrum wissenschaftlicher Disziplinen (z. B. Materialwissenschaft, Chemie, Physik, Erd- und Planetenforschung). Im Hinblick auf diese Aspekte werden in diesem Buch verschiedene Methoden zur Kristallzüchtung, experimentelle Hochdruckerzeugungsmethoden, Magnetowiderstandsstudien und die Messung des elektrischen Widerstands von Metallchalkogeniden bei hohem Druck und niedriger Temperatur beschrieben.

Autorentext
Dr. Sandip V. Bhatt hat seinen Ph.D. (2014) auf dem Gebiet der experimentellen Physik kondensierter Materie an der Abteilung für Physik der Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Gujarat, Indien, abgeschlossen. Zu seinen Fachgebieten gehören: Kristallwachstum, Synthese und Charakterisierung von nanostrukturierten Materialien, Hochdruckforschung und Enhanced Oil Recovery.